MT53E2G32D4DE-046 AUT:C vs MT53E2G32D4DE-046 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von MT53E2G32D4DE-046 AUT:C von Micron Technology und MT53E2G32D4DE-046 von Micron Technology. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Micron Technology
MT53E2G32D4DE-046 AUT:C MT53E2G32D4DE-046 AUT:C - 64Gbit LPDDR4X DRAM | Micron

MT53E2G32D4DE-046 AUT:C - 64Gbit LPDDR4X DRAM | Micron

MT53E2G32D4DE-046 AUT:C ✓ Aktiv
Micron Technology
MT53E2G32D4DE-046 MT53E2G32D4DE-046 - 64Gbit LPDDR4X SDRAM 2133MHz | Micron

MT53E2G32D4DE-046 - 64Gbit LPDDR4X SDRAM 2133MHz | Micron

MT53E2G32D4DE-046 ✓ Aktiv

Spezifikationsvergleich

Parameter MT53E2G32D4DE-046 AUT:C MT53E2G32D4DE-046
Marke Micron Technology Micron Technology
Kategorie Memory ICs Memory ICs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $31,50 $57,89
Speichertyp SDRAM - Mobile LPDDR4X Mobile LPDDR4X SDRAM
Speichergröße 64 Gbit 64 Gbit (8 GB)
Speicherorganisation 2G x 32 2G x 32
Schnittstelle Parallel Parallel
Clock Frequency 2.133 GHz 2133 MHz (2.133 GHz)
Access Time 3.5 ns —
Gehäuse 200-TFBGA (10 x 14.5 mm) 200-TFBGA (10 x 14.5 mm)
Montageart Surface Mount Surface Mount
Bus Width 32 bit —
Grade Automotive (AUT) —
Die Revision C —
Supply Voltage VDD [DATA_NEEDED: VDD voltage] —
Supply Voltage VDDQ [DATA_NEEDED: VDDQ voltage] —
Betriebstemperatur [DATA_NEEDED: operating temperature range] —
Standby Current [DATA_NEEDED: standby current] 2 mA
Packaging [DATA_NEEDED: tray/reel quantity] —
RoHS-Status Compliant Compliant
Access Time (Cycle) — 3.5 ns
Datenrate — 4266 MT/s max class (-046 speed bin per LPDDR4X interface)
Supply Voltage (VDD) — 1.06 V to 1.17 V
Operating Current (Idd) — 168 mA
Operating Temperature (WT grade) — -25C to +85C
Operating Temperature (AUT grade) — -40C to +125C
Operating Temperature (AIT grade) — -40C to +95C
Eigenschaften — Auto precharge, auto self-refresh, ZQ calibration, built-in temperature sensor, write leveling, data mask, asynchronous reset

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